法国Leti开拓基于CMOS的Micro LED显示屏临盆新工艺

据报导,法国研究机构Leti of CEA Tech研收回一个临盆高机能氮化镓Micro LED显示屏的新工艺。相比现无办法,这项新工艺更简略且更高效。

新工艺的第一步是将Micro LED芯片间接转移到CMOS晶圆上。第二步是把由CMOS驱动电路和Micro LED芯片构成的每个完备像素点转移到显示基板上。

研究员指出,CMOS驱动器具有高机能,可以或许或许制作更多种类的Micro LED显示屏,从小尺寸可穿戴显示器到大尺寸电视面板都能实现。

据称,单个LED-CMOS单位是颠末过程全半导体和晶圆级办法制作的,最终制成的显示器不必要应用TFT(薄膜晶体管),这也是新工艺技术的另外一个优点。

目前,如何提高驱动电子的机能是制作Micro LED的一个挑衅,这必要更多功率来实现加倍明亮的图像,和更快的速率来应对赓续增长的高显示分辨率必要。

CEA-Leti研发的新工艺可以或许或许颠末过程简化的转移工艺来制作基于CMOS的高机能氮化镓Micro LED显示器,无需TFT背板。RGB Micro LED间接堆叠在微CMOS电路上,然后每个单位被转移至简略的接收基板上。末了,在单个半导体线上实现RGB Micro LED和背板的制作。

CEA-Leti光学器件计谋营销司理Fran?ois Templier表示,这项基于CMOS的工艺可以或许或许临盆出更高亮度和更高分辨率的Micro LED显示器,可改变大型电视制作领域的“游戏规矩”。

据悉,5月14日,CEA-Leti在2019显示周上展现了这项打破性技术。(编译:LEDinside Janice)

 

 

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