浙大化学系在QLED研究获得新打破

据国度自然科学基金委网站消息,在国度自然科学基金重点项目等的支撑下,浙江大学化学系彭笑刚课题组与资料系金一政课题组献在量子点发光二极管(QLED)研究领域取得了重要进展。相干研究效果发表在《自然》(Nature)上。该文报导了一种以量子点为电路光资料的新型LED器件。其机能远超过了目前相干文献报导的其它量子点LED,而且该新型器件可以或许或许颠末过程简略的溶液加工路线制备而得。

LED作为下一代照明与显示的中央器件已被业界承认。GaN内在生长量子阱的LED器件则是目前市场上的流行产品。但是,GaN内在生长量子阱必要超高真空、超高纯度质料、超密度电能消耗等条件。为此,不管是显示产业还是照明产业,都抉择了蓝光LED与下转换稀土荧光粉结合的相对低本钱思绪。而这种结合路线导致了光品格偏低、色域不能完全称心请求等缺点。与GaN量子阱LED分歧,无机发光二极管(OLED)器件的发光中央为无机分子,因而可以或许或许釉勖请求较低的真空条件制备。OLED已经在小屏显示上获得了应用。但因为OLED电路光中央为无机分子,热稳固性和化学稳固性不停是一个棘手的成就。其间接表示为对器件加工工艺请求严苛、器件寿命往往不能到达预期等。

显然,QLED型结合GaN量子阱LED与OLED两者的优势。但是,颠末科学工作者20年的不懈极力,QLED的综合机能——包含效力、寿命、加工工艺——还远落后于人墼勖的等待。这重要因为量子点与QLED器件适配性和QLED分外布局两个方面的原因。浙江大学团队为QLED设计并合成为了分外的量子点,并对QLED自己器件特性停止了剖析,从而找到了该类器件布局的关键成就,再颠末过程在器件中插入一层纳米绝缘层解决了正、负载流子注入均衡的关键难点。这两个方面的胜利,从试验上验证了QLED适用化的可行性。这预示着QLED型在照明与显示两个产业中扮演重要角色。

 

来源:国民网

 

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